昨日高通在美國正式發(fā)布了驍龍835處理器，這款驍龍835處理器首次采用10納米?FinFET工藝的量產(chǎn)。再次由三星代工，預(yù)計(jì)最快在明年上半年上市。 今年10月，三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米?FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，?驍龍835處理器采用10納米制作工藝，將具有更小的芯片尺寸，讓手機(jī)廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將會(huì)顯著提升電池續(xù)航。 同時(shí)將支持快充4.0充電時(shí)間會(huì)顯著提升，配合高通最新推出的QC4.0技術(shù)（Quick?Charge?4），可實(shí)現(xiàn)更快速充電。據(jù)高通稱，QC4.0技術(shù)能在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，充入高達(dá)?50%的電池電量，相比前代QC?3.0（Quick?Charge?3），用戶可享受到高達(dá)20%的充電速度提升。 目前從高通發(fā)布的驍龍835，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，明年搭載這顆處理器將會(huì)大面積普及開來，減少30%尺寸，降低40%的功耗，意味著明年的安卓智能機(jī)在續(xù)航能力上會(huì)有大幅度的提升，還是讓人很期待的，但高通并沒有給出該處理器的詳細(xì)規(guī)格。但根據(jù)之前曝光的信息，其或?qū)⒉捎米匝蠯ryo?200架構(gòu)的八核心設(shè)計(jì)，GPU將升級為Adreno?540，內(nèi)置X16基帶，加入LPDDR4X內(nèi)存，并且最高支持8GB運(yùn)行內(nèi)存。關(guān)于驍龍835?的消息現(xiàn)在還不確定，可能在今后高通835上市會(huì)陸續(xù)的發(fā)布。 高通推出了下一代旗艦處理器，命名直接跳過了830，與三星的合作不出意外，按照慣例三星會(huì)率先拿到這款處理器，預(yù)計(jì)最快明年初的三星S8會(huì)率先搭載。搭載最新驍龍835處理器的三星S8你還會(huì)買嗎？