非常在線2017年1月4日消息 北京時間1月4日清晨，高通在美國拉斯維加斯正式發(fā)布了旗下首款10nm FinFET制程處理器——驍龍835。得益于優(yōu)秀的制程和功耗控制，驍龍835芯片功耗降低25%，續(xù)航時間增加了2.5個小時。預計在今年上半年，將有廠商會陸續(xù)跟進推出搭載該芯片的相關(guān)設備。

作為高通旗下首款10nm FinFET制程處理器，驍龍835基于ARM v8架構(gòu)，采用了4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心設計，大小核均為Kryo280架構(gòu)，最高主頻為2.45GHz，效率核心頻率最高可達1.9GHz，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存。 作為驍龍835處理器的一大亮點，驍龍835處理器整合了Cat.16基帶，支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)，兼容USBType-C，較上一代QC3.0，充電速度提升20%，效率提升30%。更重要的是，充電效率提升的同時，充電的安全性也得到進一步加強。按照高通官方的說法，驍龍835處理器的芯片，充電五分鐘可提供5小時的使用。

作為驍龍820的迭代產(chǎn)品，高通驍龍835處理器同為旗艦定位，但是在性能提升的基礎上改善了功耗，同時還改進了虛擬現(xiàn)實特性以及拍照性能。相較于驍龍820，尺寸減小了近乎50%，Wi-Fi功耗降低高達60%；支持802.11ad多千兆比特Wi-Fi，最高可提供高達4.6Gbps的峰值速度。 更為驚喜的是，驍龍835處理器還擴展了驍龍820處理器的虛擬現(xiàn)實以及增強現(xiàn)實功能，除了支持擁有VR特性的智能手機之外，驍龍835還能夠采用在專業(yè)的虛擬現(xiàn)實頭盔當中。相信這對于很多喜歡VR功能的用戶而言，絕對是一個令人亢奮的好消息。

據(jù)了解，驍龍835處理器目前已經(jīng)投產(chǎn)，預計今年上半年將有搭載該芯片的商用終端出貨。從目前曝光信息來看，將會搭載驍龍835處理器的手機包括將于4月份發(fā)布的三星Galaxy S8、HTC新旗艦HTC 11、小米6、華碩ZenFone旗艦手機、LG G6等。不難推測，隨著驍龍835處理器的正式發(fā)布，在接下來勢必會引起一場驍龍835首發(fā)權(quán)的爭奪大戰(zhàn)，而這也將成為未來一段時間的最大看點。