大到電腦手機(jī)，小到穿戴設(shè)備，我們?nèi)粘Ｉ钪械母鞣N數(shù)碼電子設(shè)備幾乎都離不開(kāi)閃存。

要說(shuō)閃存是如何制造的，在1987年發(fā)明閃存的東芝應(yīng)該很有發(fā)言權(quán)了。閑來(lái)無(wú)事，筆者通過(guò)東芝存儲(chǔ)的官網(wǎng)尋覓了與閃存制造相關(guān)的一些信息，一起來(lái)看這種黑色小芯片到底是如何制造出來(lái)的。

當(dāng)前我們使用的閃存大多屬于3D閃存，它是將閃存單元立體堆疊而來(lái)，靈活地解決了半導(dǎo)體制程發(fā)展遇到的瓶頸。東芝在2007年首次在IEEE學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了三維(3D)閃存技術(shù)：

由東芝發(fā)明的BiCS閃存經(jīng)過(guò)48層和64層發(fā)展后，目前已發(fā)展為96層堆疊的BiCS4。

下圖是東芝存儲(chǔ)BiCS4閃存(尚未封裝的die)，它采用96層堆疊結(jié)構(gòu)，擁有TLC和QLC兩種類型，后者實(shí)現(xiàn)了1.33Tb/die的存儲(chǔ)密度。

為了實(shí)現(xiàn)一層層的堆疊效果，東芝存儲(chǔ)在3D閃存的制造過(guò)程中廣泛應(yīng)用了等離子蝕刻技術(shù)，將電極和介電層交替堆疊，然后在所有層上穿孔，并在通孔內(nèi)沉積介電膜，形成電極柱。

為了獲得理想的孔形狀，東芝研發(fā)了新的掩膜材料和蝕刻氣體，并通過(guò)表面和氣體層控制技術(shù)增加閃存堆疊層數(shù)。

作為精密的半導(dǎo)體工藝產(chǎn)品，制造完成的閃存晶圓需經(jīng)過(guò)高度精確的缺陷檢查。東芝用SEM掃描電子顯微鏡解和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，高效發(fā)現(xiàn)和排除制造過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷，保障閃存品質(zhì)。

由于物理限制的原因，半導(dǎo)體光刻工藝的成本不斷增加，東芝正研發(fā)納米壓印光刻技術(shù)，使用壓印將模板上的納米級(jí)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。該技術(shù)是備受期待的下一代光刻方法，可用較低成本實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的存儲(chǔ)器制造。

作為NAND閃存的發(fā)明者，東芝存儲(chǔ)已于2019年10月1日起改名為Kioxia(中文名鎧俠)。Kioxia是日語(yǔ)kiodu(存儲(chǔ))和希臘語(yǔ)axia(價(jià)值)的組合：融合存儲(chǔ)和價(jià)值，通過(guò)存儲(chǔ)推動(dòng)世界進(jìn)步。

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