近日在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的 ITF World 2023大會(huì)上，英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理 Ann Kelleher 介紹了幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域最新技術(shù)發(fā)展，其中就包括了英特爾將采用堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)，這也是英特爾首次公開(kāi)介紹新的晶體管設(shè)計(jì)，但并未提及具體的量產(chǎn)時(shí)間表。

在2021年創(chuàng)新技術(shù)大會(huì)上，英特爾公布了 Intel 20A 制程將采用基于 Gate All Around（GAA）技術(shù) RibbonFET 晶體管架構(gòu)，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶體管架構(gòu)。

新技術(shù)提升晶體管開(kāi)關(guān)速度，占用空間更少，可以達(dá)成與FinFET結(jié)構(gòu)相同驅(qū)動(dòng)電流水準(zhǔn)。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 將在 2024 年量產(chǎn)。

英特爾還展示下一代 GAA 堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)，將允許堆疊8個(gè)納米片，是 RibbonFET 的4個(gè)納米片的兩倍，將進(jìn)一步提升晶體管密度。