快科技8月9日消息，分析師郭明錤透露，高通驍龍8 Gen4會(huì)采用3nm工藝。由于臺(tái)積電3nm成本高昂，智能手機(jī)需求在持續(xù)下滑，因此高通考慮臺(tái)積電、三星雙代工模式。

此前在2015年，蘋果A9芯片就采用了臺(tái)積電、三星雙代工模式，當(dāng)時(shí)A9芯片臺(tái)積電版本是16nm工藝，三星版本是14nm工藝。

現(xiàn)在高通驍龍8 Gen4有可能會(huì)效仿蘋果，據(jù)爆料，臺(tái)積電版本的驍龍8 Gen4采用N3E工藝，三星版本的驍龍8 Gen4則是采用3nm GAA制程工藝。

據(jù)悉，三星是全球第一個(gè)成功將GAA技術(shù)應(yīng)用到量產(chǎn)的3nm芯片當(dāng)中的晶圓代工廠商，雖然臺(tái)積電也已量產(chǎn)3nm工藝，但是其依然是基于FinFET晶體管架構(gòu)，臺(tái)積電會(huì)在2nm制程工藝上才會(huì)采用GAA技術(shù)。

根據(jù)官方披露的信息，GAA FET架構(gòu)的晶體管提供了比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這意味著在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA的溝道控制能力比FinFET更強(qiáng)，尺寸可以進(jìn)一步微縮。

基于此，業(yè)界認(rèn)為倘若高通驍龍8 Gen4部分訂單交由三星代工，那么基于三星3nm GAA技術(shù)的驍龍8 Gen4表現(xiàn)將會(huì)優(yōu)于臺(tái)積電版本。