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三星閃存明年首發(fā)超300層!未來要做1000層、1000TB

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2023-08-21 02:21人閱讀

NAND閃存堆疊越來越多,目前的最高記錄是SK海力士的238層,其次是三星236層,然后是美光、長江存儲232層。 

日前,SK海力士宣布了全球首個300+層閃存,達到了驚人的321層,類型為TLC,單Die容量為1Tb(128GB),但要到2025年才會量產(chǎn)。

據(jù)韓國媒體,三星將在2024年推出300+層的閃存,搶先SK海力士一步!

目前尚不清楚三星300+層閃存的具體細節(jié),比如確切層數(shù)、容量密度、閃存類型等,只知道仍然是雙重堆疊,而不是SK海力士那樣的三重堆疊。

這意味著,三星閃存的每一重,都要超過150層,無疑難度更大,也非??简灹计仿剩雌饋砣且呀?jīng)找到了好辦法。

按照三星規(guī)劃的路線圖,到了2030年,閃存堆疊將超過1000層!

值得一提的是,三星日前還公布了256TB SSD,閃存采用QLC,面向企業(yè)級市場,而且還在開發(fā)PB級的SSD,也就是超過1000TB!

全球第一:三星閃存明年超300層!2030年突破1000層

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