天風國際分析師郭明錤發(fā)文稱，繼三星在8月份漲價后，美光也將自9月開始調漲NAND Flash晶圓合約價約10%，這將有助于改善美光下半年獲利。

郭明錤分析稱，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24開始受益于三個趨勢，包括英特爾新平臺Meteor Lake加速DDR5滲透率增長、AI服務器強勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠在設備上推廣LLM有利于DDR/LPDDR規(guī)格升級。

摩根士丹利在最新報告中指出，由于NAND價格已觸底，閃存廠商群聯(lián)目前已看到來自大陸的模組與智能手機客戶需求增強，部分客戶甚至已接受了30%至35%的價格上漲。

今年8月初，業(yè)內就傳出消息稱，三星已通知客戶，打算將512Gb NAND Flash晶圓的報價提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的價格上漲了約15%，這一變化最早可能在8月中旬反映在現(xiàn)貨市場價格中。

有兩大廠商私下對此予以證實，并表示“先前該產品1.45-1.48的美元低價位，未來不會再出現(xiàn)了”。

隨后在8月17日，Digitime爆料稱，國內的NAND Flash模組廠近日已暫停報價及接單，將配合原廠（三星）報價調高8~10%。此舉將有望拉動NAND Flash價格逐步回升到制造成本線。

9月3日，市場研究機構TrendForce發(fā)布報告指出，近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。

近日，日系外資也發(fā)布報告稱，DRAM 受 AI服務器需求帶動，庫存水平下滑而價格上漲，NAND  Flash價格已經低于供應商現(xiàn)金成本，未來價格下降幅度有限，預計 7-9 月維持穩(wěn)定，10-12 月份開始回升。

存儲芯片市場的企穩(wěn)，主要是得益于鎧俠、美光、SK海力士、三星等頭部存儲廠商的積極減產。

有業(yè)內人士爆料稱，三星已制定生產計劃，目標年底NAND Flash庫存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND Flash庫存周轉天數超過20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至了18周。

TrendForce的報告顯示，三星最初的減產幅度為25%，第四季減產可能擴大到35%。

隨著這些頭部廠商的持續(xù)擴大減產，這也自然將加速存儲市場的觸底反彈。

至于模組廠，由于NAND Flash晶圓漲價已帶來成本提升壓力，模組廠近期紛紛釋出調漲終端產品的意向，主要體現(xiàn)在SSD產品方面，金士頓（Kingston）、Phison等模組廠近期亦回歸官方價格來進行交易，不再開放客戶另議以低價成交。

金士頓還表示，由于產品價格便宜，從8月起拒絕客戶降價，并會重建部分NAND庫存。

另外，據臺媒8月31日消息，近1個月來，NAND Flash現(xiàn)貨價格持續(xù)小幅調升，單月漲幅約達5%，逐漸靠攏合約價。

不過也有機構提醒，由于相關采購訂單是基于供應端報價調漲而涌現(xiàn)，是否有實際終端訂單支撐仍待觀察。

近期，康佳集團旗下存儲企業(yè)——康盈半導體創(chuàng)始人兼CEO馮若昊在接受芯智訊采訪時也表示，近期上游NAND Flash原廠確實在漲價，漲幅大概在10%左右，但是對于模組廠來說，想配合，但是客戶端并不一定會接受，所以客戶都還是在觀望。

但是隨著上游原廠持續(xù)減產，以及一些需求的緩慢恢復，四季度隨著供應持續(xù)減少，客戶庫存消耗加速，會達到供需平衡或者供應偏緊張的情況，從而帶動整體市場對于漲價的接受。