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Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2023-09-20 19:33人閱讀

制程工藝不斷提升的同時,整個半導體行業(yè)還在持續(xù)研究各種先進封裝技術,二者結合打造越來越龐大、強大的芯片。

Intel在先進封裝技術方面尤其有著悠久的歷史和豐富的成果,早在20世紀90年代就引領從陶瓷封裝向有機封裝過渡,率先實現(xiàn)無鹵素、無鉛封裝,EMIB、Foveros、Co-EMIB如今都已經投入實用,F(xiàn)overos Direct、Foveros Omni也已經做好了準備。

現(xiàn)在,Intel宣布率先推出面向下一代先進封裝技術的玻璃基板,計劃在未來幾年內推出相關產品,可在單個封裝內大大增加晶體管數(shù)量、提高互連密度,使得合作伙伴與代工客戶在未來數(shù)十年內受益。

Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍
玻璃基板組裝芯片的一側

Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍
玻璃基板測試芯片

目前普遍采用的有機基板封裝預計會在2020年代末期達到晶體管縮微能力的極限,因為有機材料耗電量比較大,存在縮微、翹曲的限制。

相比之下,玻璃具有獨特的性能,比如超低平面度(也就是極為平整)、更好的熱穩(wěn)定性和機械穩(wěn)定性。

使用玻璃材料制成的基板,具有卓越的機械、物理、光學特性,可以在單個封裝中連接更多晶體管,提供更高質量的微縮,并支持打造更大規(guī)模的芯片,也就是系統(tǒng)級封裝。

Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍
玻璃基板測試單元

Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍
Intel CEO基辛格展示玻璃基板測試晶圓

Intel表示,玻璃基板更高的溫度耐受可使變形減少50%,便于更靈活地設置供電和信號傳輸規(guī)則,比如無縫嵌入光互連、電容、電感等器件。

同時,玻璃基板極低的平面度可改善光刻的聚焦深度,整體互連密度有望提升多達10倍,還能實現(xiàn)非常高的大型芯片封裝良率。

Intel的目標是到2030年實現(xiàn)單個封裝內集成1萬億個晶體管,玻璃基板將是推動這一目標落地的強有力支持。

Intel發(fā)明全新玻璃基板封裝:互連密度提升10倍

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