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75倍能效提升!我國(guó)存儲(chǔ)重大突破 最強(qiáng)存算一體芯片研制成功:美韓廠商側(cè)目

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2023-10-12 07:21人閱讀

10月12日消息,我國(guó)存儲(chǔ)芯片上又有了新的大突破,而且是全球領(lǐng)先。

清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱團(tuán)隊(duì)基于存算一體計(jì)算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進(jìn)人工智能、自動(dòng)駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》雜志。

記憶電阻器(Memristor,憶阻器),是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能“記憶”通過的電荷,被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

存算一體架構(gòu)徹底消除了數(shù)據(jù)在邏輯處理器與存儲(chǔ)芯片之間的搬遷問題,減少能量消耗及延遲,在邊緣計(jì)算和云計(jì)算中有廣泛的應(yīng)用前景。

相同任務(wù)下,該芯片實(shí)現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進(jìn)工藝下專用集成電路(ASIC)系統(tǒng)的1/35,同時(shí)有望實(shí)現(xiàn)75倍的能效提升。

75倍能效提升!我國(guó)存儲(chǔ)重大突破 最強(qiáng)存算一體芯片研制成功:美韓廠商側(cè)目

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