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美國無限期豁免后 三星將升級西安工廠NAND芯片工藝至236層

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2023-10-16 17:39人閱讀

快科技10月16日消息,根據(jù)此前的相關報道,三星和SK海力士獲得美國無限期豁免,不需要特別的許可批準,即可為其在中國的工廠安裝帶有美國技術的制造設備。

對于三星來說這無疑是一個好消息,在取得豁免后三星也確實在采取相應措施。據(jù)Business Korea今天的報道,三星電子決定將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝

報道顯示,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層(第8代)NAND的設備。

三星決定升級其西安工廠的原因主要由兩個:

第一個原因是三星想要在目前尚未復蘇的NAND芯片市場繼續(xù)保持全球領先地位。從去年年底開始的半導體市場疲軟影響到了三星NAND業(yè)務,即便是4月開始采取減產措施后也沒有明顯改變。

因此三星選擇了升級工藝來確保產品的競爭力和價格,畢竟比起第6代NAND技術,第8代新技術的晶圓投入減少了30%左右,更能平衡市場供需。

再加上由于三星的減產措施,其西安工廠的整體開工率也是大幅下降到了20%左右

另一個原因就是美國的無限期豁免。三星西安工廠是其唯一的海外存儲半導體生產基地,第一工廠投資了108.7億美元(約合795億元人民幣),2017年開始建造的第二工廠,先后投資了150億美元(約合1097億元人民幣)。

目前三星西安工廠已經(jīng)成為了世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產量的40%。三星那么多的投資,再加上美國現(xiàn)在又對其進行了豁免,升級生產工藝也就在情理之中了。

美國無限期豁免后 三星將升級西安工廠NAND芯片工藝至236層

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