快科技10月17日消息，今天，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負責人Lee Jung-Bae發(fā)表文章，稱三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運行芯片，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。同時三星還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級DRAM芯片。

該負責人還表示，對于DRAM三星正在研發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料；對于NAND閃存，正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。

這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布計劃在2025年開始量產(chǎn)321層NAND芯片。

預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術(shù)，其中包括在兩個獨立過程中創(chuàng)建NAND存儲器，然后將它們組裝在一起。

與老對手三星不同，SK海力士的300層NAND產(chǎn)品采用的是三重堆疊技術(shù)，每組分別堆疊120層、110層和91層，最后組合成一個芯片。

相比于三重堆疊，雙堆疊工藝在生產(chǎn)成本和效率上存在著不小的優(yōu)勢。三星此舉也是為了用成本優(yōu)勢來超越對手，從而鞏固其市場領(lǐng)先地位。

在去年舉辦的三星技術(shù)日上，三星表示將在2030年實現(xiàn)堆疊多達1000層的技術(shù)。然而如果不采用三重堆疊工藝，要實現(xiàn)超過400層的堆疊將是一個挑戰(zhàn)。因此業(yè)內(nèi)人士表示三星可能會在第10代430層產(chǎn)品中開始采用三重堆疊技術(shù)。