快科技10月20日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日，三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了“三星代工論壇2023”，并公布了其先進(jìn)工藝路線(xiàn)圖和代工戰(zhàn)略。

在此次論壇上，三星展示了從最先進(jìn)的2納米工藝到8英寸傳統(tǒng)工藝一系列汽車(chē)行業(yè)定制解決方案。

三星代工事業(yè)部總裁Siyoung Choi表示：“目前我們正在加大投入準(zhǔn)備工作，為客戶(hù)提供功率半導(dǎo)體、微控制器、先進(jìn)的自動(dòng)駕駛?cè)斯ぶ悄苄酒榷喾N解決方案。”

三星強(qiáng)調(diào)，其將在2026年完成車(chē)用2nm芯片的量產(chǎn)；同時(shí)還透露了其開(kāi)發(fā)業(yè)界首款5nm eMRAM的計(jì)劃。

自2019年成為業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)基于28nm工藝eMRAM的公司以來(lái)，三星計(jì)劃2024年量產(chǎn)14nm車(chē)用eMRAM，然后在2026年和2027年量產(chǎn)8nm和5nm車(chē)用eMRAM。

三星官方表示，8nm eMRAM與14nm相比，預(yù)計(jì)集成度將提高30%，速度提高33%。

此外三星還計(jì)劃到2025年將目前的130mm車(chē)用BCD工藝提升至90nm，與130nm相比，90nm的BCD工藝將使芯片面積減少20%。

根據(jù)此前DigiTimes的報(bào)道，三星半導(dǎo)體和設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)負(fù)責(zé)人Kye Hyun Kyung曾公開(kāi)表示，要在未來(lái)5年內(nèi)超越臺(tái)積電和其它行業(yè)巨頭。

而臺(tái)積電總裁魏哲家在昨天的法人說(shuō)明會(huì)上披露，臺(tái)積電有望在2025年量產(chǎn)2nm工藝芯片。