在加州圣何塞舉辦的年度存儲(chǔ)技術(shù)大會(huì)上，三星披露了下一代HBM3E的情況，相比現(xiàn)有HBM3在容量、頻率、帶寬方面都有了巨大的提升。

三星HBM3E內(nèi)存采用基于EUV極紫外光刻工藝的第四代10nm級(jí)工藝制造，確切地說是14nm。

單Die容量可達(dá)24Gb，8顆堆疊就是24GB，12顆堆疊就是36GB，相比HBM3增加了一半。

等效頻率可達(dá)9.8GHz，同樣提升一半，領(lǐng)先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，單顆芯片的帶寬可以做到1-1.1225TB/s。

對(duì)于NVIDIA H100這樣的計(jì)算卡，六顆HBM3E可以組成單卡216GB的海量?jī)?nèi)存，總帶寬高達(dá)7.35TB/s。

能效方面，三星宣稱可以提升10％，但顯然會(huì)被25％的頻率提升所抵消掉。

考慮到三星剛剛量產(chǎn)HBM3，新一代的HBM3E將在明年的某個(gè)時(shí)候量產(chǎn)，而出貨可能要到明年底了。

正因?yàn)槿绱?，NVIDIA下一代計(jì)算卡B100將獨(dú)家使用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批趕不上了。