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中國技術(shù)再次實(shí)現(xiàn)突破!全球最先進(jìn)的3D NAND存儲芯片被發(fā)現(xiàn)

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2023-10-25 17:21人閱讀

快科技10月25日消息,知名半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights稱,在一款消費(fèi)電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)了世界上最先進(jìn)的3D NAND存儲芯片,它來自中國頂級的3D NAND制造商長江存儲。

據(jù)悉,TechInsights在2023年7月推出的致態(tài)SSD中發(fā)現(xiàn)了由長江存儲制造的232層QLC 3D NAND芯片,這種新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產(chǎn)品中最高的比特密度。

本次的發(fā)現(xiàn),超越了同樣在開發(fā)232層QLC 3D NAND芯片的美光和英特爾(Solidigm)。

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長江存儲232L QLC芯片

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致態(tài)Ti600 1TB固態(tài)硬盤

TechInsights表示,盡管受到制裁后困難重重——包括該公司受限于向蘋果供應(yīng)基于中國生產(chǎn)的iPhone零部件,以及被列入美國的實(shí)體名單, 但長江存儲仍在靜靜地開發(fā)最先進(jìn)的技術(shù)。

近期存儲市場的低迷,以及許多內(nèi)存制造商專注于節(jié)省成本的舉措,可能為長江存儲提供了機(jī)遇,使其具有領(lǐng)先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

值得注意的是,三星目前的戰(zhàn)略是專注于V9 3D NAND的TLC和QLC,因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發(fā)QLC。

但是,三星在上周舉行的“內(nèi)存技術(shù)日”上,首次公開了面向移動市場的QLC產(chǎn)品——采用176層(V7)技術(shù)的512GB UFS 3.1產(chǎn)品。

SK海力士的主要業(yè)務(wù)是TLC,而不是QLC產(chǎn)品。

越來越多的證據(jù)表明,中國正在努力克服貿(mào)易限制、建立本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的勢頭比預(yù)期的要成功。

此前,TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機(jī)構(gòu),在拆解完之后,TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價:

“這確實(shí)是一個令人驚嘆的質(zhì)量水平,是我們始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我們要祝賀中國,能夠制造出這樣的產(chǎn)品。這意味中國擁有非常強(qiáng)大的能力,而且還在繼續(xù)發(fā)展技術(shù)。”

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