快科技10月30日消息，從清華大學(xué)官網(wǎng)獲悉，清華大學(xué)自動(dòng)化系戴瓊海院士、吳嘉敏助理教授與電子工程系方璐副教授、喬飛副研究員聯(lián)合攻關(guān)，提出了一種擺脫摩爾定律的全新計(jì)算架構(gòu)：光電模擬芯片。

摩爾定律1965年由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出，即每隔約兩年，集成電路可容納的晶體管數(shù)目便增加一倍。

但是隨著晶體管尺寸逐漸接近物理極限，近十年內(nèi)摩爾定律已放緩甚至面臨失效。

此次清華大學(xué)研發(fā)的光電模擬芯片，也為擺脫摩爾定律指明了新的方向。

據(jù)介紹，在光電模擬芯片這一枚芯片上便突破了大規(guī)模計(jì)算單元集成、高效非線性、高速光電接口三個(gè)國(guó)際難題。

根據(jù)官方的實(shí)測(cè)，光電融合芯片的系統(tǒng)級(jí)算力較現(xiàn)有的高性能芯片架構(gòu)提升了3000余倍，以交通工具來(lái)類比的話，相當(dāng)于將京廣高鐵8小時(shí)的運(yùn)行時(shí)間縮短到了8秒鐘。

不僅如此，該芯片的系統(tǒng)級(jí)能效實(shí)測(cè)達(dá)到了74.8 Peta-OPS/W，是現(xiàn)有高性能芯片的400萬(wàn)余倍，相當(dāng)于原本供現(xiàn)有芯片工作一小時(shí)的電量，可供它工作500多年。

此外，該芯片光學(xué)部分的加工最小線寬僅采用百納米級(jí)，而電路部分僅采用180nm CMOS工藝，就已取得比7納米制程的高性能芯片多個(gè)數(shù)量級(jí)的性能提升。

論文通訊作者之一戴瓊海院士介紹道：“開(kāi)發(fā)出人工智能時(shí)代的全新計(jì)算架構(gòu)是一座高峰，而將新架構(gòu)真正落地到現(xiàn)實(shí)生活，解決國(guó)計(jì)民生的重大需求，是更重要的攻關(guān)，也是我們的責(zé)任。”