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國產(chǎn)存儲(chǔ)逆襲!長江存儲(chǔ)在美國起訴美光侵犯專利:后者回應(yīng)

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2023-11-16 08:15人閱讀

快科技11月16日消息,針對(duì)長江存儲(chǔ)的起訴,美光回應(yīng)稱保持沉默,不會(huì)對(duì)案件進(jìn)程有任何透露。

美光不對(duì)未決訴訟發(fā)表評(píng)論。美國加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息顯示,11月9日,長江存儲(chǔ)起訴美光科技及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其美國專利。

本月早些時(shí)候,中國最大閃存芯片制造商長江存儲(chǔ)在美國起訴美光,后者侵犯了專利。

長江存儲(chǔ)在起訴書中提到,美光使用長江存儲(chǔ)的專利技術(shù),以抵御來自長江存儲(chǔ)的競爭,并獲得和保護(hù)市場份額。

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

據(jù)悉,長江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國專利號(hào)為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。

美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。

國產(chǎn)存儲(chǔ)逆襲!長江存儲(chǔ)在美國起訴美光侵犯專利:后者回應(yīng)

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