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長江存儲(chǔ)秘密開發(fā)新閃存!還是232層 但不排除隱藏大招

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2023-11-18 00:21人閱讀

據(jù)外媒報(bào)道,盡管受到美國嚴(yán)格封鎖,但長江存儲(chǔ)并未輕言放棄,正在開發(fā)下一代晶棧Xtacing 4.0架構(gòu)的新型閃存,并已經(jīng)基本就緒。

長江存儲(chǔ)現(xiàn)有的晶棧Xtacking 3.0有三種版本,其中X3-9060是128層的TLC,X3-9070是232層的TLC,X3-6070是128層的QLC。

下一代的晶棧Xtacking 4.0,首批有兩個(gè)版本,其中X4-9060是128層的TLC,X4-9070是232層的TLC,后續(xù)是否還有QLC暫不清楚。

長江存儲(chǔ)秘密開發(fā)新閃存!還是232層 但不排除隱藏大招

它們?nèi)詫⑹褂?strong>串堆疊(string stacking)設(shè)計(jì),也就是首先制造64層、116層的閃存晶圓,然后兩個(gè)鍵合合在一起,形成128層、232層,這樣使用的相關(guān)工具、技術(shù)就不會(huì)違反美國的出口限制。

當(dāng)然,128層、232層只是實(shí)際可用的層數(shù),還有多少隱藏/屏蔽的層數(shù)就不得而知了。

晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)的128層、232層TLC閃存實(shí)際上分別有141層、253層,但有13層、21層沒有啟用,這也是行業(yè)慣例,為的是提高良品率。

目前尚不清楚晶棧Xtacing 4.0有哪些具體的提升,不知道是否能像之前每一代那樣,繼續(xù)提升傳輸速度、容量密度,相信更多的會(huì)在架構(gòu)和技術(shù)細(xì)節(jié)上優(yōu)化完善,比如提升并行能力、優(yōu)化位線(bitline)和字線(wordline)、改進(jìn)延遲等等。

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