快科技12月14日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在近日的IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上，臺(tái)積電表示已經(jīng)全面展開(kāi)1.4nm級(jí)工藝制程研發(fā)，預(yù)計(jì)將于2027-2028年之間量產(chǎn)，并將命名為A14。

臺(tái)積電還表示，在3nm制程工藝量產(chǎn)后就開(kāi)始研發(fā)2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年正式量產(chǎn)2nm工藝，N2P制程工藝也將在2026年年底量產(chǎn)。

在技術(shù)方面臺(tái)積電并沒(méi)有透露具體會(huì)使用何種技術(shù)，但報(bào)道表示A14節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。

因此A14可能將像N2節(jié)點(diǎn)一樣，依賴于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)，不過(guò)臺(tái)積電仍在探索CFET技術(shù)。

同時(shí)A14和N2節(jié)點(diǎn)類似，都需要系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化，才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現(xiàn)新的性能和功耗水平。

此外，目前也不清楚臺(tái)積電是否計(jì)劃為A14制程采用High-NA EUV光刻技術(shù)，考慮到屆時(shí)英特爾將采用和完善孔徑為0.55的EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電使用這些機(jī)器應(yīng)該還是比較容易。

當(dāng)然，目前的這些還都只是計(jì)劃，可能還會(huì)有很多變化，因此現(xiàn)在還不能做出太多假設(shè)。