快科技12月21日消息，集邦咨詢的報(bào)告顯示，ASML阿斯麥將在2024年生產(chǎn)最多10臺(tái)新一代高NA(數(shù)值孔徑) EUV極紫外光刻機(jī)，其中Intel就定了多達(dá)6臺(tái)。

同時(shí)，三星星也在積極角逐新光刻機(jī)，臺(tái)積電感覺壓力巨大。

NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。

金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對(duì)應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm，低NA光刻機(jī)的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來輔助，不但會(huì)大大增加成本，還會(huì)降低良品率。

因此，更高的NA成為必需。

ASML 9月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)“Twinscan EXE:5000”，從0.33做到0.55，光刻分辨率縮小到8nm，可制造2nm工藝乃至更先進(jìn)的芯片。

ASML沒有公布第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)的客戶，但業(yè)界普遍認(rèn)為正是Intel。

Intel最初就計(jì)劃利用新光刻機(jī)投產(chǎn)Intel 18A工藝，但因?yàn)榈炔患?，只能改用已有?.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。

ASML明年量產(chǎn)的高NA EUV光刻機(jī)，將是改進(jìn)型的Twinscan EXE:5200，支持大規(guī)模量產(chǎn)。

未來，ASML將把年產(chǎn)量進(jìn)一步提高到20臺(tái)左右。

這種新光刻機(jī)的成本和價(jià)格沒有公開，猜測(cè)至少3億美元，甚至可能達(dá)到或超過4億美元，也就是逼近人民幣30億元。

目前的低NA EUV光刻機(jī)需要2億美元左右。