快科技1月17日消息，蘋果的升級(jí)越來越看不懂了，iPhone 16系列要用速度更慢的QLC閃存。

據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，蘋果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。

與TLC相比，QLC的優(yōu)勢(shì)在于每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。

此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會(huì)降低，因?yàn)槊總€(gè)單元寫入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總€(gè)單元多包含一個(gè)位。

QLC NAND閃存可以存儲(chǔ)16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲(chǔ)8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯(cuò)誤增加。

如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃，一些版本的iPhone 16 用戶可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。