快科技1月19日消息，臺積電近日公開承認(rèn)，位于亞利桑那州的第二座美國工廠將會推遲至少1年，原定的3nm工藝也懸而未決，原因主要是美國答應(yīng)好的補(bǔ)貼遲遲不到位。

臺積電美國工廠名為Fab 21，一期工程投資120億美元，將在2025年下半年投入量產(chǎn)，主要是生產(chǎn)5nm、4nm工藝芯片。

2022年底，臺積電將美國工廠投資增至最多400億美元，并宣布建設(shè)Fab 21二期工廠，計劃2026年投產(chǎn)N3 3nm工藝。

兩座工廠的年產(chǎn)能可達(dá)60萬塊晶圓，也就是每個月5萬塊。

但是受《芯片與科學(xué)法案》的影響，美國政府給予新工廠的補(bǔ)貼存在很大變數(shù)，加之客戶需求疲軟，臺積電決定推遲新工廠的進(jìn)度，目前預(yù)計要到2027年甚至2028年才能完成。

臺積電還表示，新工廠正在建設(shè)中，但投產(chǎn)工藝尚未最終決定，仍在討論中，具體取決于客戶需求和時間周期。

看樣子，臺積電這是要和美國政府討價還價。