快科技1月26日消息，據(jù)韓國媒體報道，韓國將把高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)指定為國家戰(zhàn)略技術(shù)，并向三星電子和SK海力士等開發(fā)該技術(shù)的企業(yè)提供稅收優(yōu)惠。

報道稱，這一決定是2023年底在國會通過的，稅法修正案后的執(zhí)行令草案的一部分。

最主要的變化就是，擴大了有資格享受研發(fā)稅收優(yōu)惠的國家戰(zhàn)略技術(shù)范圍，與一般研發(fā)活動相比，企業(yè)對指定的國家戰(zhàn)略技術(shù)可以獲得更高的稅收減免。

中小企業(yè)可享受高達40%至50%的減免，而三星電子、SK海力士等中大型企業(yè)可享受高達30%至40%的減免。

HBM全稱為High Bandwich Memory，即高帶寬內(nèi)存，是一款的CPU/GPU內(nèi)存芯片；其將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。

簡單來講，傳統(tǒng)的DDR內(nèi)存芯片是一層的平房結(jié)構(gòu)，HBM結(jié)構(gòu)的內(nèi)存就是現(xiàn)代化的摩天大樓，在占地面積不變的基礎(chǔ)上，向3維高度發(fā)展，從而可實現(xiàn)了更高的性能和帶寬。

隨著AI應(yīng)用的越來越廣泛，HBM的相關(guān)應(yīng)用也是越來越多，其需求也是水漲船高，目前HBM的平均售價至少是DRAM的三倍。