快科技2月17日消息，根據(jù)美國喬治城大學(xué)沃爾什外交學(xué)院智庫CSET(安全和新興技術(shù)中心)的最新報(bào)告，美國晶圓廠的建設(shè)速度幾乎已經(jīng)是全球最慢的，而中國大陸正在極速追趕上來。

報(bào)告顯示，20世紀(jì)90年代以來，全球共新建了635座晶圓廠，平均建設(shè)時(shí)間為682天。

建設(shè)速度最快的是日本，平均只需584天，然后是韓國620天、中國臺(tái)灣654天、歐洲和中東690天、中國大陸701天。

美國則需要長達(dá)736天，只比東南亞的781天略好一些。

如果劃分不同時(shí)間段來看，美國的情況更不容樂觀。

199x年和200x年，美國平均只需675天就能建好一座晶圓廠，進(jìn)入201x年則要花費(fèi)918天。

與此同時(shí)，中國大陸和中國臺(tái)灣分別縮短到了675天、642天。

進(jìn)入202x年，美國的晶圓廠建設(shè)更是困難重重，經(jīng)常無法按期完工。

比如臺(tái)積電位于亞利桑那州的Fab 21又推遲了一年，Intel位于俄亥俄州的工廠從2025年延期到了2026年底，三星位于得克薩斯州的工廠跳票到了2025年。

數(shù)量方面美國也在快速下滑，199x年新建了55座，200x年只有43座，201x年則僅僅22座，合計(jì)120座。

同期，中國大陸分別新建了14座、75座、95座，合計(jì)184座，比美國多了足足一半。

雖然數(shù)量和速度不代表一切，尖端工藝上我們差距還非常大，但是CSET仍然提醒美國要小心中國的追趕。

盡管美國制定了《芯片法案》，推動(dòng)半導(dǎo)體制造回流本土、抑制競爭，但效果不佳。

CSET強(qiáng)調(diào)，美國晶圓廠建設(shè)放緩，最大阻礙就是各種各樣、紛繁復(fù)雜的法律法規(guī)，看似對(duì)公眾有益，但嚴(yán)重阻礙了半導(dǎo)體發(fā)展，建議刪除那些沒必要的冗余條款，為半導(dǎo)體行業(yè)開綠燈。

建設(shè)中的Intel新工廠