快科技3月25日消息，據(jù)媒體報道，美光展示了單條256GB的DDR5-8800內(nèi)存，屬于MCRDIMM模塊。

據(jù)悉，美光近期展示了其創(chuàng)新的單條256GB DDR5-8800內(nèi)存，這款內(nèi)存以非標準高度設(shè)計，同時為了滿足1U服務(wù)器的需求，美光還推出了標準高度款。

非標準高度款內(nèi)存采用了32Gb DDR5芯片，每面密集排列了40塊芯片，雙面合計達到80塊，充分展現(xiàn)了其高集成度的設(shè)計特點。

而標準高度款雖然同樣使用了32Gb DDR5芯片，但采用了2層堆疊封裝的方式，以適應(yīng)更為緊湊的空間。

然而，這種設(shè)計可能會使得在有限空間內(nèi)運行時，溫度稍高于非標準高度款，盡管兩款內(nèi)存的高度不同，但它們的功耗均控制在大約20W，展現(xiàn)了出色的能效表現(xiàn)。

值得一提的是，美光此次展示的內(nèi)存采用了MCRDIMM技術(shù)，這是由英特爾、SK海力士及瑞薩共同合作開發(fā)的。MCRDIMM，即多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組，其初始規(guī)格為DDR5-8000，為高性能計算提供了強大的支持。

據(jù)去年英特爾的展示，當Granite Rapids處理器與DDR5-8800的MCRDIMM內(nèi)存模塊搭配使用時，雙路系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬將高達驚人的1.5 TB/s。

而Granite Rapids支持12通道內(nèi)存子系統(tǒng)，每個通道可接入兩個內(nèi)存模塊，若采用DDR5-8800的MCRDIMM內(nèi)存模塊，其內(nèi)存容量可達到3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽），極大地提升了系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力，這一創(chuàng)新為高性能計算領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力，期待未來能為我們帶來更多驚喜。