快科技4月7日消息，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima近日披露，鎧俠計劃在2031年批量生產(chǎn)超過1000層堆疊的3D NAND閃存。

鎧俠現(xiàn)有的最新閃存技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊了218層，接口速度3200MT/s。

至于使用什么樣的新技術、新工藝才能達到1000多層，鎧俠沒有明說。

目前堆疊層數(shù)最多的閃存技術來自SK海力士，達到了321層，不過要到2025年上半年才能量產(chǎn)。

有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現(xiàn)1000層閃存(SSD容量也規(guī)劃到了1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。

三星的V-NAND已經(jīng)推進到第九代，將在明年初量產(chǎn)，基于雙堆棧架構，可達成業(yè)界最高堆疊層數(shù)，預計超過300層，再往后的第十代則會達到430層左右。