智己汽車致歉 小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理:SiC書寫有誤、請學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)
快科技4月9日消息,昨晚上汽智己L6新車發(fā)布,由于工作人員疏忽,在對比小米SU7項目中,錯誤將小米SU7前電機(jī)標(biāo)注為前LCBT,后SiC,這引起了小米方面強(qiáng)烈不滿,三連發(fā)文要求致歉。
后智己CEO劉濤、智己汽車官方連夜發(fā)布道歉,然而致歉函內(nèi)也有錯誤,被小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理指出。
在公開致歉中,無論是劉濤還是智己汽車,都提到小米SU7 Max版前后電機(jī)均采用SIC碳化硅模塊,與智己L6所采用的的技術(shù)一致,均為行業(yè)頂尖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
然而這里面有個書寫錯誤,也就是SIC,正確的應(yīng)該為SiC,今日上午,小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理“潘曉曉曉曉曉曉曉雯”特意發(fā)布微博進(jìn)行了科普,其表示:碳化硅怎么寫:SiC,請學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)。
我們常說的IGBT/SiC是指代電驅(qū)控制器中的功率模塊,是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關(guān)電路,有以Si為材料IGBT構(gòu)型的芯片,有以SiC為材料MOSFET為構(gòu)型的芯片(對,IGBT是構(gòu)型,SiC是指芯片材料)。
功率模塊負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)化為交流電驅(qū)動電機(jī),重要程度可想而知,SiC MOSFET相比Si IGBT幾乎沒有開關(guān)損耗。
因為SiC的制造工藝難度高,得片率、良品率低,導(dǎo)致SiC相比于Si,價格還在2~5倍。
這個配置非常昂貴,我們天天拉著工程師拆解技術(shù),只有對它的原理、作用、發(fā)展趨勢都要了解,才能做出正確的取舍。
被批評之后,無論是劉濤還是智己汽車官方,均已修改了相關(guān)說辭,更改了書寫錯誤。
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