IMEC(比利時(shí)微電子研究中)舉辦的ITF World 2024大會(huì)上，AMD董事長兼CEO蘇姿豐博士領(lǐng)取了IMEC創(chuàng)新大獎(jiǎng)，表彰其行業(yè)創(chuàng)新與領(lǐng)導(dǎo)——戈登·摩爾、比爾·蓋茨也都得到過這個(gè)榮譽(yù)。

在獲獎(jiǎng)后的演講中，蘇姿豐重點(diǎn)提到，AMD正在全力沖刺30x25目標(biāo)，也就是到2025年將計(jì)算能效提升到2020年的30倍，而到了2026-2027年，AMD將把計(jì)算能效提升2020年的100倍！

這一速度，將遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。

處理器、顯卡等計(jì)算產(chǎn)品的能耗越來越高，AMD早在2014年就設(shè)定了名為25x20的目標(biāo)，也就是從2014年到2020年，將產(chǎn)品能效提升25倍，最終超額做到了31.77倍。

隨后，AMD就立下了30x25的新目標(biāo)，明年就能順利實(shí)現(xiàn)。

蘇姿豐指出，眼下提升計(jì)算產(chǎn)品能效的最大障礙就是AI大模型訓(xùn)練、微調(diào)所需的龐大算力，往往離不開成千上萬的GPU加速器，以及成千上萬兆瓦的電力，而且還在急劇膨脹。

為此，AMD將多管齊下，從產(chǎn)品架構(gòu)、制造工藝、封裝技術(shù)、互連技術(shù)等方面提升能效，比如3nm GAA全環(huán)繞柵極工藝，比如2.5D/3D混合封裝，等等。

她指出，Instinct MI300X就是高能效的典型代表，包含1530億個(gè)晶體管，分為12顆小芯片、24顆共192GB HBM3內(nèi)存芯片。

再比如處理器，2024年的第四代EPYC，對(duì)比1984年的AM286(Intel 80286的克隆版本)，40年間，制造工藝從1.5微米進(jìn)步到6/5納米，單顆芯片變成13顆小芯片，晶體管從13.4萬個(gè)增加到900億個(gè)。

核心線程數(shù)從1/1個(gè)增加到96/192個(gè)，最高頻率從20MHz提高到3.5GHz，緩存從0增加到486MB(下圖中的16MB應(yīng)是支持內(nèi)存容量)，內(nèi)核面積從49平方毫米增加到1240平方毫米。