快科技5月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，由于發(fā)熱嚴(yán)重，三星電子最新研發(fā)的高帶寬內(nèi)存HBM芯片在英偉達(dá)的測試中未能達(dá)標(biāo)，因此無法被用于英偉達(dá)的AI處理器。

據(jù)了解，受影響的產(chǎn)品涉及三星的HBM3芯片，這是目前人工智能圖形處理單元中最常用的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn)。

資料顯示，HBM3具有更高的帶寬和更低的延遲，由于HBM3芯片堆疊在一起，通過短距離、高密度的互連通道進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，帶寬可以達(dá)到數(shù)百GB/s的級別。

HBM3為加快內(nèi)存和處理器之間的數(shù)據(jù)移動打開了大門，降低了發(fā)送和接收信號所需的功率，并提高了需要高數(shù)據(jù)吞吐量的系統(tǒng)性能。

不過，實(shí)現(xiàn)這一切都不容易，制造這項(xiàng)技術(shù)和充分利用它都將面臨重大挑戰(zhàn)，最大挑戰(zhàn)就是發(fā)熱控制，HBM結(jié)構(gòu)會積聚許多熱量，而DRAM與GPU封裝在一起會加劇這種情況的發(fā)生，這就對散熱冷卻提出了更多的挑戰(zhàn)，迫使制造者需要在時(shí)延與散熱之間做出抉擇，很顯然，無論哪一種選擇，都將從另一角度上推高總成本。