快科技5月30日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子代工業(yè)務(wù)部門(mén)計(jì)劃在即將到來(lái)的6月12日至13日在美國(guó)硅谷舉辦的代工與SAFE論壇上，公布其技術(shù)路線(xiàn)圖和強(qiáng)化代工生態(tài)系統(tǒng)的計(jì)劃。

其中最大的變化是，三星預(yù)計(jì)將把原定于2027年實(shí)現(xiàn)的1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年。

此前，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)其第二代3nm工藝，隨后于2025年啟動(dòng)2nm工藝的量產(chǎn)。

業(yè)界推測(cè)，三星可能會(huì)將第二代3nm和2nm工藝進(jìn)行整合，并有可能在2024年下半年就開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片。

與此同時(shí)，三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也在積極推進(jìn)其工藝發(fā)展計(jì)劃。

臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到A16節(jié)點(diǎn)（1.6nm），并預(yù)計(jì)在2027-2028年左右開(kāi)始量產(chǎn)1.4nm工藝。

盡管有傳聞稱(chēng)臺(tái)積電因技術(shù)問(wèn)題將2nm工藝全面量產(chǎn)推遲至2026年，但臺(tái)積電已明確表示2nm工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2025年左右可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

三星電子的信心部分源自于其在2022年6月引入的“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術(shù)，該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率。

與此同時(shí)，臺(tái)積電的信心則源自與大客戶(hù)蘋(píng)果的密切合作，蘋(píng)果對(duì)臺(tái)積電的營(yíng)收貢獻(xiàn)高達(dá)25%-30%。