快科技5月31日消息，三星電子在日前的“AI-PIM研討會”上表示，其8nm版本的eMRAM內(nèi)存開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。

eMRAM是一種基于磁性原理的新型內(nèi)存技術(shù)，與傳統(tǒng)的DRAM內(nèi)存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)更高的能效。

此外，eMRAM的寫入速度達到了NAND內(nèi)存的1000倍，這使得它能夠支持對寫入速率有更高要求的應(yīng)用場景。

三星電子目前具備28nm eMRAM的生產(chǎn)能力，并已開始向智能手表等終端產(chǎn)品供貨。

根據(jù)此前報道，三星電子曾計劃在2024年量產(chǎn)14nm eMRAM，并在2026年實現(xiàn)8nm eMRAM的量產(chǎn)。

現(xiàn)在，隨著8nm eMRAM開發(fā)的基本完成，公司正朝著2027年推出5nm eMRAM的目標穩(wěn)步前進。

同時三星對eMRAM在未來車用領(lǐng)域的應(yīng)用充滿信心，并表示其產(chǎn)品耐溫能力已達到150~160℃，完全能夠滿足汽車行業(yè)對半導體的嚴苛要求。