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金邦將展示創(chuàng)紀(jì)錄的10200MHz DDR5內(nèi)存:不需要液氮

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2024-06-05 08:35人閱讀

快科技6月2日消息,邦宣布,將在臺(tái)北電腦展上首發(fā)展示10200MHz創(chuàng)紀(jì)錄高頻率的DDR5內(nèi)存,突破10GHz大關(guān)。

金邦強(qiáng)調(diào),這種內(nèi)存依然需要極高的電壓,但不再需要液氮等極端散熱方式,常規(guī)的散熱片加風(fēng)冷就可以搞定。

金邦將展示創(chuàng)紀(jì)錄的10200MHz DDR5內(nèi)存:不需要液氮

就在日前,十銓也宣布了全球首款10GHz DDR5內(nèi)存,名為“Xtreem玄境”,采用了2mm厚的鰭片式鋁合金散熱馬甲,專業(yè)導(dǎo)熱硅脂,提供粉色、白色兩種風(fēng)格。

金邦將展示創(chuàng)紀(jì)錄的10200MHz DDR5內(nèi)存:不需要液氮

另外,金邦還宣布達(dá)成了DDR5 9000MHz頻率、CL40-54-54-112時(shí)序,電壓為1.45V,單條容量16GB,雙條組成32GB套裝。

該內(nèi)存已經(jīng)在華碩ROG CROSSHAIR X670E GENE主板上通過穩(wěn)定性考驗(yàn)。

金邦稱,該內(nèi)存專為AMD銳龍8000G APU優(yōu)化設(shè)計(jì),可以保證核顯滿血性能釋放——不會(huì)真的有人這么搭配吧。

金邦將展示創(chuàng)紀(jì)錄的10200MHz DDR5內(nèi)存:不需要液氮

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標(biāo)簽: DDR5 金邦

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