快科技6月26日消息，據(jù)媒體報道，存儲芯片產業(yè)界近日傳來消息，通用型DRAM內存芯片可能面臨供應短缺的局面。

隨著業(yè)界對高帶寬存儲（HBM）這類DRAM的大力投資，通用型DRAM的產能利用率相對較低，三星和SK海力士的產能利用率僅在80%到90%之間，與NAND閃存的全速生產形成鮮明對比。

與HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手機、PC的內存芯片，這一供應短缺的信號可能預示著DRAM內存芯片的價格上漲。

自2024年初以來，通用型DRAM的產能僅提升了大約10%，而智能手機、PC和服務器市場的增長率預計僅為2%到3%。

全球云計算和科技公司在AI基礎設施上的投資削減，也未能顯著推動DRAM需求的復蘇。

與此同時，企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）的需求因人工智能的普及而激增，導致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度滿負荷運行其NAND生產線。

鎧俠也在市場條件改善后結束了減產，NAND產能利用率恢復至100%。

盡管業(yè)界對通用型DRAM需求反彈持謹慎樂觀態(tài)度，但這一可能性很大程度上取決于終端設備AI能力的普及程度。

PC制造商和智能手機廠商，如三星和蘋果，正在積極探索AI技術在各自產品中的應用，以期帶動市場需求。