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華為將SSD壽命提升一個(gè)量級(jí):延長30-50%

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2024-06-29 10:10人閱讀

快科技6月29日消息,如今的SSD容量越做越大,企業(yè)級(jí)SSD容量已達(dá)30TB、60TB的、甚至120TB。但SSD壽命一直是“致命傷”,越大容量的盤,出現(xiàn)故障后,丟失的數(shù)據(jù)就越多。

近日, 華為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)發(fā)文,揭開華為全閃分布式存儲(chǔ)讓SSD大盤更“長壽”的秘訣。

首先,為什么SSD會(huì)有壽命問題?

SSD閃存實(shí)際是由半導(dǎo)體元件、NAND Flash顆粒組成。通過對盤上顆粒不斷的擦和寫,來完成對數(shù)據(jù)的增、刪、改、查。

這個(gè)過程中,顆粒捕獲電子的能力會(huì)逐漸減弱,當(dāng)減弱到一定程度后、也就是超過顆粒最大擦寫次數(shù),便可能出現(xiàn)“電子逃逸”現(xiàn)象,也就是硬盤寫穿、數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、壽命耗盡。

盤上全部顆??芍С值目偛翆懘螖?shù) 和 使用期間用戶寫入的數(shù)據(jù)量。只要后者小于前者,那么就能保證壽命無憂!

因此,下面這個(gè)公式就能一目了然:

兩大絕招!華為將SSD壽命提升一個(gè)量級(jí):延長30-50%

所以,想延長SSD壽命,就要減少“寫放大”。

為了降低分母,就要減少罪魁禍?zhǔn)?mdash;—“寫放大”。寫放大的意思是,比如,在寫入16KB的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)時(shí),呈現(xiàn)到盤上卻變成寫入64KB物理數(shù)據(jù)量,被放大了,消耗了數(shù)倍的擦寫次數(shù),加速顆粒老化?!皩懛糯蟆钡脑搭^來自于以下三點(diǎn):

后臺(tái)垃圾回收

SSD是無法覆蓋寫的,要想修改數(shù)據(jù)必須擦除顆粒、重新寫入,Block就是擦除的最小單元。當(dāng)少量數(shù)據(jù)修改時(shí), SSD就會(huì)將原Block上的全部有效數(shù)據(jù)讀取后,寫入新的Block位置,再擦除原Block。

這個(gè)過程,就像整理房間一樣,要先把老房間的東西全部搬出來,再放到新房間里重新布置。換句話說,少量的數(shù)據(jù)更新,會(huì)引發(fā)更大面積顆粒的擦寫。

小I/O補(bǔ)齊

SSD可讀寫的最小單元是Page(一般是512個(gè)byte)。在用戶層面寫入數(shù)據(jù)時(shí),當(dāng)用戶寫入的I/O大小不足一個(gè)Page容量,為了能管理它,就需要額外尋找另一份數(shù)據(jù),來和原數(shù)據(jù)拼湊成一整個(gè)Page的大小,再寫入到顆粒中?!斑@個(gè)不夠、別的來湊”,這用來湊齊的無效數(shù)據(jù),就會(huì)造成寫放大。

元數(shù)據(jù)變化

在SSD上,元數(shù)據(jù)是描述數(shù)據(jù)的索引,一般緊密地存放在一些Block區(qū)域。當(dāng)用戶在頻繁修改數(shù)據(jù)時(shí),對應(yīng)的每份元數(shù)據(jù)也必須跟著被修改、重定向,造成多次讀寫、擦寫,牽一發(fā)而動(dòng)全身。

華為OceanStor Pacific分布式存儲(chǔ)采用了一個(gè)創(chuàng)新的機(jī)制——小I/O聚合,將小I/O在寫盤前聚合在保電內(nèi)存中,只有達(dá)到一定粒度后才會(huì)寫入SSD,消除了小I/O補(bǔ)齊導(dǎo)致的寫放大。

這對元數(shù)據(jù)變化也非常友好。聚合后的小I/O更容易被集中修改,極大減少元數(shù)據(jù)被頻繁擦寫的概率。

同時(shí),華為還采用了業(yè)界獨(dú)創(chuàng)的多流技術(shù),即智能識(shí)別數(shù)據(jù)的冷熱程度并優(yōu)化數(shù)據(jù)布局,減少不必要的重復(fù)擦寫和數(shù)據(jù)搬移。

除了分母,也要增大分子。華為是采用額外的編碼糾錯(cuò)技術(shù),在達(dá)到顆粒的標(biāo)稱擦寫次數(shù)后,對數(shù)據(jù)持續(xù)校驗(yàn)或修正,徹底避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、業(yè)務(wù)出錯(cuò),變相地增大了顆粒的總擦寫次數(shù)。

華為開發(fā)了一套更加強(qiáng)大的組合拳——LDPC(Low Density Parity Check)算法與SmartFSP 3.0算法,一方面對Flash介質(zhì)進(jìn)行監(jiān)測,尋找更精確的讀取電位,另一方面保證高性能的校驗(yàn)糾錯(cuò)性能,提供更加精準(zhǔn)的盤內(nèi)冗余糾錯(cuò)精度。

一個(gè)糾得正,一個(gè)查得準(zhǔn),二者配合,華為就將SSD數(shù)據(jù)的誤碼率從10-17降低至10-18,整整降低一個(gè)數(shù)量級(jí),延長30~50%的SSD壽命

兩大絕招!華為將SSD壽命提升一個(gè)量級(jí):延長30-50%

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標(biāo)簽: 華為 固態(tài)硬盤

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