快科技7月16日消息，英國(guó)QuInAs Technology近日宣布，公司已獲得Innovate UK基金會(huì)的110萬(wàn)英鎊（約合1038萬(wàn)元人民幣）資助，用于推動(dòng)UltraRAM內(nèi)存技術(shù)的量產(chǎn)化進(jìn)程。

這筆資金將用于將UltraRAM晶圓直徑由3英寸擴(kuò)大到6英寸，下一階段目標(biāo)是在完整的8英寸晶圓上制造，然后將該工藝轉(zhuǎn)化為適合晶圓廠(chǎng)的工業(yè)工藝。

這項(xiàng)技術(shù)由英國(guó)蘭開(kāi)斯特大學(xué)和華威大學(xué)的物理學(xué)家共同開(kāi)發(fā)，旨在將非易失性閃存NAND與易失性?xún)?nèi)存RAM的優(yōu)勢(shì)結(jié)合，創(chuàng)造出一種超高效、高耐用性的新型存儲(chǔ)解決方案。

UltraRAM的核心優(yōu)勢(shì)在于其超長(zhǎng)的寫(xiě)入壽命和數(shù)據(jù)保持能力，QuInAs聲稱(chēng)，UltraRAM技術(shù)最高可承受1000萬(wàn)次的重寫(xiě)循環(huán)，同時(shí)存儲(chǔ)到UltraRAM單元中的電荷可以保持1000年不泄露。

同時(shí)UltraRAM的能效比DRAM高出100倍，比3D NAND高出1000倍。

UltraRAM的創(chuàng)新之處在于其三層浮動(dòng)閥的設(shè)計(jì)，由砷化銦和銻化鋁（InAs/AlSb）材料制成，這種結(jié)構(gòu)不僅確保了能源效率，還提供了優(yōu)秀的數(shù)據(jù)保護(hù)。

在讀取操作中，UltraRAM采用非破壞性方式，電子在共振時(shí)穿過(guò)三重勢(shì)壘進(jìn)入單元，擦除過(guò)程中則以相同的方式退出，這種機(jī)制使得寫(xiě)入過(guò)程極為節(jié)能。