快科技7月16日消息，英國QuInAs Technology近日宣布，公司已獲得Innovate UK基金會的110萬英鎊（約合1038萬元人民幣）資助，用于推動UltraRAM內(nèi)存技術(shù)的量產(chǎn)化進程。

這筆資金將用于將UltraRAM晶圓直徑由3英寸擴大到6英寸，下一階段目標(biāo)是在完整的8英寸晶圓上制造，然后將該工藝轉(zhuǎn)化為適合晶圓廠的工業(yè)工藝。

這項技術(shù)由英國蘭開斯特大學(xué)和華威大學(xué)的物理學(xué)家共同開發(fā)，旨在將非易失性閃存NAND與易失性內(nèi)存RAM的優(yōu)勢結(jié)合，創(chuàng)造出一種超高效、高耐用性的新型存儲解決方案。

UltraRAM的核心優(yōu)勢在于其超長的寫入壽命和數(shù)據(jù)保持能力，QuInAs聲稱，UltraRAM技術(shù)最高可承受1000萬次的重寫循環(huán)，同時存儲到UltraRAM單元中的電荷可以保持1000年不泄露。

同時UltraRAM的能效比DRAM高出100倍，比3D NAND高出1000倍。

UltraRAM的創(chuàng)新之處在于其三層浮動閥的設(shè)計，由砷化銦和銻化鋁（InAs/AlSb）材料制成，這種結(jié)構(gòu)不僅確保了能源效率，還提供了優(yōu)秀的數(shù)據(jù)保護。

在讀取操作中，UltraRAM采用非破壞性方式，電子在共振時穿過三重勢壘進入單元，擦除過程中則以相同的方式退出，這種機制使得寫入過程極為節(jié)能。