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美光發(fā)布全新256GB MRDIMM內(nèi)存:AMD提出 卻僅支持Intel

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-07-17 01:35人閱讀

快科技7月17日消息,美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5內(nèi)存條,目前已經(jīng)出樣,可為AI、HPC應(yīng)用提供超大容量、超高帶寬、超低延遲。

MRDIMM的全稱為“Multiplexed Rank DIMM”,最初由AMD聯(lián)合JEDEC組織提供提出,思路很簡單,就是將兩個DDR5 DIMM內(nèi)存條合而為一,從而提供雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,而且可以同時訪問兩個Rank。

舉例來說,兩個DDR5-4800組合在一起,就得到了DDR5-9600,而規(guī)劃目標(biāo)是一舉達到DDR5-17600。

Intel也在準(zhǔn)備類似的設(shè)計,叫做MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks DIMM),主要與SK海力士合作。

美光發(fā)布全新256GB MRDIMM內(nèi)存:AMD提出 卻僅支持Intel

美光發(fā)布的MRDIMM DDR5內(nèi)存完全遵循DDR5物理與電氣規(guī)范,接口兼容,并提供標(biāo)準(zhǔn)高度,更高的TFF度兩種規(guī)格,后者可在同等功耗、散熱下降低溫度最多20℃。

容量方面有多達五種,分別是32GB、64GB、96GB、128GB、256GB,頻率最高8800MT/s。

對比傳統(tǒng)的RDIMM DDR5,它的有效帶寬提升最多39%,總線效率提升超過15%,延遲降低最多40%。

256GB TFF MRDIMM對比類似容量的TSV RDIMM,性能可以領(lǐng)先35%。

美光的MRDIMM內(nèi)存目前僅支持Intel新發(fā)布的至強6平臺,或許后續(xù)也會支持AMD第五代Turin EPYC。

美光發(fā)布全新256GB MRDIMM內(nèi)存:AMD提出 卻僅支持Intel

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