為了鼓勵制造業(yè)回流，尤其是在半導體行業(yè)，美國近些年不斷提供各種福利措施，2022年以來各種補貼、抵稅、貸款、補助金已經(jīng)超過4000億美元。

但是外媒在進行了詳細的調(diào)查后發(fā)現(xiàn)，《通脹削減法案》(IRA)、《芯片法案》實施后的一年內(nèi)，在價值超過1億美元的制造業(yè)項目中，有多達840億美元的或者被推遲(2個月到幾年不等)，或被無限期擱置，占比達到了40％。

擱置的項目包括：LG Energy Solution在亞利桑那州投資23億美元的儲能設施、Ubtegra在加州投資18億美元的半導體工廠、Albemarle在南卡羅來納州投資13億美元的鋰精煉廠、Enel在俄克拉荷馬州投資10億美元的太陽能電池板工廠、Pallidus在南卡羅萊納州投資4.43億美元的新總部和制造工廠……

受調(diào)查企業(yè)稱，改變計劃的主要原因，包括經(jīng)濟環(huán)境惡化、市場需求疲軟，以及美國總統(tǒng)選舉環(huán)節(jié)帶來的政策不確定性。

特朗普在競選中就曾發(fā)誓，如果當選，將會終結(jié)IRA。

其中，臺積電無疑是最受美國政府和大眾關注的，但在美建廠同樣很不順。

今年4月，美國政府宣布，計劃向臺積電提供66億美元現(xiàn)金補貼、50億美元低息貸款，總額116億美元，支持其在美國本土的芯片制造。

這是美國根據(jù)《芯片與科學法案》所批準的最大一筆投資。

臺積電則“投桃報李”，宣布將在亞利桑那州鳳凰城建設第三座晶圓廠，在美投資總額將超過650億美元。

但是，從臺積電宣布赴美建廠至今，已經(jīng)過去了4年，還沒有生產(chǎn)出來一顆芯片。

臺積電在美第一座工廠的投產(chǎn)時間已經(jīng)推遲到2025年，計劃引入5nm、4nm工藝。

第二座工廠將升級到3nm、2nm工藝，但投產(chǎn)時間也推遲了兩年，要等到2028年。