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出口管制刺激自主水平!日本專業(yè)機構(gòu):中國半導體制造僅落后臺積電3年

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-08-26 17:00人閱讀

快科技8月26日消息,據(jù)日本媒體報道,日本專業(yè)半導體分析機構(gòu)TechanaLye的社長清水洋治表示,中國的半導體制造能力不斷進步,僅落后于行業(yè)領(lǐng)導者臺積電三年。

他還表示,美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術(shù)革新,但卻進一步刺激了中國半導體產(chǎn)業(yè)的自主生產(chǎn)腳步。

TechanaLye在對華為智能手機處理器的分析中發(fā)現(xiàn),華為旗下海思半導體設(shè)計的麒麟9010處理器采用國產(chǎn)7nm工藝。

與臺積電5nm工藝代工的Kirin 9000在芯片面積和性能上差距不大,顯示出中國半導體邏輯制程的制造實力已經(jīng)逼近國際先進水平。

報告還指出,華為Pura 70 Pro手機中86%的半導體器件為中國制造,包括由海思半導體設(shè)計的14個主要半導體器件,以及其他中國廠商負責的18個。

這一數(shù)據(jù)顯示,中國在半導體領(lǐng)域的自主研發(fā)和生產(chǎn)能力已經(jīng)取得了顯著進步。

清水洋治認為,美國管制主要針對AI等用途的服務器用先進半導體,而對于不構(gòu)成軍事威脅的產(chǎn)品,美國可能會放寬限制。

出口管制刺激自主水平!日本專業(yè)機構(gòu):中國半導體制造僅落后臺積電3年

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標簽: 中國 半導體

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