快科技11月18日消息，Intel最近發(fā)布了至強6數據中心處理器率先應用MRDIMM(多路復用雙列直插式內存模塊)新型內存，以即插即用的方式大幅提升性能。

傳統(tǒng)上，廣泛應用的RDIMM（寄存式雙列直插式內存模塊）與處理器類似，均內置并行資源，但兩者在資源利用方式上存在差異。RDIMM雖允許獨立存儲與數據訪問在多個內存陣列間進行，卻未能實現(xiàn)這一過程的同步化。

面對這一挑戰(zhàn)，Intel工程師創(chuàng)造性地提出了一項解決方案：在DRAM模塊上集成多路復用器，使得數據能夠同時在兩個內存陣列間進行高效傳輸。這一創(chuàng)新設計打破了傳統(tǒng)限制，開啟了內存訪問的新紀元。

多路復用緩沖器的引入，進一步優(yōu)化了MRDIMM的電力負載管理，從而促使接口速度相較于RDIMM實現(xiàn)了顯著提升。得益于能夠同時并行訪問兩個內存陣列，MRDIMM的帶寬也隨之翻倍，帶來了前所未有的性能提升。

Intel此番推出的MRDIMM技術，成功鑄就了其歷史上最快的系統(tǒng)內存，峰值帶寬從6400MT/s大幅躍升至8800MT/s，提升幅度接近40%。這一顯著進步，在過去往往需要經過多次產品迭代方能實現(xiàn)，而今卻在一夜之間成為現(xiàn)實。

MRDIMM的另一大亮點在于其卓越的易用性。該技術完美兼容常規(guī)RDIMM的連接器和外形規(guī)格，僅需將小型多路復用芯片安裝于先前模塊上的空閑位置，即可輕松實現(xiàn)升級，無需對主板進行任何改動。

此外，MRDIMM還全面繼承了RDIMM的糾錯機制及RAS（可靠性、可用性和可維護性）功能，確保無論數據緩沖區(qū)中產生何種復雜的獨立多路復用請求，都能有效維護數據的完整性與準確性。這一系列優(yōu)勢，無疑為MRDIMM技術在數據中心領域的廣泛應用奠定了堅實的基礎。