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繼華為P10之后,三星Galaxy S8再陷“閃存門(mén)”事件

來(lái)源: 編輯:vbeiyou 時(shí)間:2017-05-08 02:52人閱讀
非常在線2017年5月8日消息 持續(xù)近一個(gè)月的華為P10“閃存門(mén)”事件剛剛有了些許風(fēng)平浪靜,類(lèi)似的問(wèn)題就再次出現(xiàn)在了三星最新一代旗艦手機(jī)Galaxy S8上。同樣的問(wèn)題接連出現(xiàn),著實(shí)讓人有些緩不過(guò)神來(lái)。【疏油層事件之后華為再陷“閃存門(mén)”:弄虛作假還是友商丑化? 繼華為P10之后,三星Galaxy S8再陷“閃存門(mén)”事件(圖1) 日前,一位 lch920619x的技術(shù)愛(ài)好者在知名技術(shù)論壇 xda上發(fā)表了一些自己的研究發(fā)現(xiàn)。該網(wǎng)友購(gòu)買(mǎi)的 Exynos 8895 版 Galaxy S8 (SM-G950FD)所采用的是 UFS 2.1 閃存(型號(hào) KLUCG4J1ED – B0C1)。不過(guò),他懷疑其他機(jī)友可能存在不同情況,于是便發(fā)起調(diào)查,呼吁大家對(duì)手上的 S8 和 S8+ 進(jìn)行測(cè)試。 之后,部分機(jī)友通過(guò)測(cè)試后發(fā)現(xiàn),S8 竟然混用了 UFS 2.0 和 UFS 2.1 兩種閃存,只有 S8+ 使用了 UFS 2.1 閃存。然而,三星的官方介紹中卻并沒(méi)有具體區(qū)分 UFS 閃存的介紹,所有宣傳介紹都是“UFS 2.1”。 繼華為P10之后,三星Galaxy S8再陷“閃存門(mén)”事件(圖2) 更有意思的是,在美國(guó)等海外國(guó)家和地區(qū),三星竟然還悄悄地修改了UFS 2.1 在參數(shù)信息中的介紹,甚至刪去了UFS 2.1閃存的描述。如果沒(méi)有問(wèn)題,三星又為何在這款新機(jī)上市之際,悄悄修改新機(jī)的配置描述,這未免有些此地?zé)o銀三百兩的味道。 要知道,在這款旗艦新機(jī)當(dāng)中,三星可是把UFS 2.1閃存當(dāng)作Galaxy S8的重點(diǎn)來(lái)做宣傳的。然而在實(shí)際當(dāng)中,卻存在UFS 2.1和UFS 2.0混用的現(xiàn)象。宣傳和實(shí)際不符,這難免讓人質(zhì)疑,三星在Galaxy S8的配置上或許存在嫌疑的嫌疑。 繼華為P10之后,三星Galaxy S8再陷“閃存門(mén)”事件(圖3) 綜合來(lái)自于各方的消息報(bào)道發(fā)現(xiàn),配置更高、價(jià)格更貴的 Galaxy S8+ 幾乎全部使用了 UDS 2.1,Exynos 8895 版S8雖然也存在UFS 2.0和 UFS 2.1 混用的情況,但對(duì)UFS 2.0采用的占比相對(duì)較少,情況最為嚴(yán)重的是高通驍龍835版S8,UFS 2.0和 UFS 2.1的混用情況幾乎是一半對(duì)一半。 在性能上,UFS 2.0 和 UFS 2.1 確實(shí)存在一定差異,前者的讀取速度在 500MB/s- 600MB/s左右,后者的讀取速度則在750MB/s-800MB/s 左右。雖然性能確實(shí)存在差異,但在實(shí)際使用中大多數(shù)消費(fèi)者是區(qū)分不出來(lái)的。 在本月18日,三星將在北京舉辦發(fā)布會(huì)正式推出國(guó)行Galaxy S8。不知道,在這場(chǎng)發(fā)布會(huì)上,三星是否會(huì)就閃存混用問(wèn)題做出回應(yīng)。畢竟,在三星S8之前華為P10已經(jīng)出現(xiàn)了類(lèi)似的問(wèn)題,此時(shí)此刻三星應(yīng)該從中吸取教訓(xùn):在很多時(shí)候,解決問(wèn)題的態(tài)度要比具體方法更重要。

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