臺積電收獲美國840億元現(xiàn)金＋貸款！第三座晶圓廠超越2nm
快科技4月9日消息，美國政府宣布，計劃向臺積電提供66億美元現(xiàn)金補(bǔ)貼、50億美元低息貸款，總額116億美元，約合人民幣840億元，支持其在美國本土的芯片制造。
這是美國根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》所批準(zhǔn)的最大一筆投資。
同時，臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠，在美投資總額將超過650億美元，約合人民幣4700億元。
臺積電在美國第一座晶圓廠Fab 21一期工程計劃2025年上半年投產(chǎn)，引入5nm、4nm工藝。
Fab 21二期工程計劃2028年投產(chǎn)，上馬3nm、2nm工藝。
二者合計年產(chǎn)能可超過60萬塊晶圓，產(chǎn)品市場價值超過400億美元。
最新規(guī)劃的第三座晶圓廠計劃升級到2nm和更先進(jìn)工藝，但投產(chǎn)時間未定，可能要到2029-2030年，也就是第二座工廠完工之后。
臺積電的這些投資，將為美國創(chuàng)造6000個高科技制造工作崗位，以及超過2萬個建筑工作機(jī)會，還會花費5000萬美元培訓(xùn)當(dāng)?shù)毓と恕?/strong>
不過，臺積電在美投資建廠也面臨諸多問題，尤其是進(jìn)度遠(yuǎn)不如預(yù)期，一二期工廠最早規(guī)劃的投產(chǎn)時間分別是2024年和2026年。
美國《芯片與科學(xué)法案》的其他高科技投資還有：Intel 85億美元直接補(bǔ)貼和110億美元低息貸款、GlobalFoundries 15億美元直接補(bǔ)貼、Microchip 1.62億美元直接補(bǔ)貼、BAE 3500萬美元直接補(bǔ)貼。
三星也正擴(kuò)大在美投資，預(yù)計可獲得60億美元補(bǔ)貼。
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