快科技4月9日消息，小米汽車今日晚間發(fā)布了“小米SU7答網(wǎng)友問（第十二集）”。

而日前，智己汽車在智己L6發(fā)布會上，誤將小米SU7的前后雙碳化硅電機(jī)，稱作前IGBT+后SiC電機(jī)，引起網(wǎng)友熱議。

在此，小米汽車也向網(wǎng)友解釋了全系全域SiC碳化硅高壓平臺是什么意思，有什么優(yōu)勢？

小米汽車介紹，IGBT/SiC是指代電驅(qū)控制器中的功率模塊，是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關(guān)器件。

有以Si為材料的IGBT類型芯片，有以SiC為材料的MOSFET類型芯片（對，IGBT是半導(dǎo)體類型，SiC是指芯片材料）。

功率模塊負(fù)責(zé)電機(jī)驅(qū)動時將直流電轉(zhuǎn)為交流電，能量回收時將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，所以它的效率對電動車至關(guān)重要。

SiC MOSFET相比Si IGBT開關(guān)損耗小，效率更高，因為SiC的制造工藝難度高、生產(chǎn)周期長，得片率、良品率低，致使SiC的價格是Si的2～5倍。

全系全域SiC碳化硅高壓平臺，指的是小米SU7高低配不僅在驅(qū)動電機(jī)上都使用了SiC碳化硅功率模塊。

車載充電機(jī)（OBC）及熱管理系統(tǒng)的空調(diào)壓縮機(jī)這兩個對能效要求極高的關(guān)鍵部件，同樣都包含了碳化硅材料，以便實現(xiàn)更好的能效表現(xiàn)，全域碳化硅是小米SU7實現(xiàn)極致的整車低能耗的技術(shù)手段之一。