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美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-04-17 17:42人閱讀

快科技4月17日消息,美光公司近日宣布,已成功實現(xiàn)232層QLC NAND閃存的量產(chǎn),并已向特定關鍵SSD客戶發(fā)貨。這款革命性的閃存產(chǎn)品不僅面向消費級客戶端,同時還將為企業(yè)級存儲客戶和OEM廠商提供強大支持,其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。

美光強調,這款四層單元的NAND閃存新品代表了行業(yè)的一大突破,其層數(shù)和密度均達到前所未有的水平。這種新型閃存不僅能實現(xiàn)比傳統(tǒng)NAND閃存更高的存儲密度和設計靈活性,還能有效縮短訪問時間,為各類應用提供更為流暢的體驗。

美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

美光的232層QLC NAND閃存憑借一系列卓越特性,為移動、客戶端、汽車、邊緣計算及數(shù)據(jù)中心等多樣化存儲需求提供了無與倫比的性能。這款閃存產(chǎn)品不僅擁有全球最高的位密度,相比上一代176層QLC NAND閃存,其密度提升了高達30%。

在結構上,這款新品也展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢,其緊湊程度比競爭對手的最新產(chǎn)品高出28%。此外,美光的232層QLC NAND閃存還具備業(yè)界領先的I/O接口速度,高達2400 MT/s,較上一代產(chǎn)品提升了50%。

在性能表現(xiàn)方面,這款新型閃存同樣令人矚目。其讀取性能相比上一代176層QLC NAND閃存提升了24%,而寫入性能更是提升了31%。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND閃存成為了市場上的佼佼者。

值得一提的是,知名存儲解決方案和定制企業(yè)級SSD設備制造商Pure Storage的總經(jīng)理Bill Cerreta對美光的這款新品給予了高度評價。他表示,美光的232層QLC NAND閃存是Pure Storage大容量DirectFlash模塊的核心組成部分,其卓越性能將助力Pure Storage在2028年之前實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心全面取代機械硬盤的宏偉目標。

美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

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標簽: 閃存 美光

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