快科技6月9日消息，根據(jù)摩根士丹利的最新報告，全球內(nèi)存市場在2025年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現(xiàn)象主要由人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和過去兩年內(nèi)存行業(yè)資本支出不足所驅(qū)動。

報告預計，2025年HBM（高帶寬內(nèi)存）的供應(yīng)不足率將達到-11%，而整個DRAM市場的供應(yīng)不足率將高達-23%，特別是HBM的需求量預計將大幅增加，可能占總DRAM供應(yīng)的30%。

這一供需失衡的情況預示著內(nèi)存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產(chǎn)品的價格在2024年將以每季度兩位數(shù)的速度上漲，而2025年HBM的價格將更高，服務(wù)器DRAM和超高密度QLC固態(tài)硬盤將引領(lǐng)這一價格上漲趨勢。

內(nèi)存市場的這一“超級周期”將為行業(yè)內(nèi)的戰(zhàn)略地位公司如SK海力士和三星帶來市場份額的進一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的2024-25年的每股收益預測提高了24-82%，較最新的預期共識高出51-54%。

SK海力士預計將在2025年占據(jù)HBM市場的最大份額，其目標價被提高11%至30萬韓元，而三星電子的目標價被提高至10.5萬韓元。

內(nèi)存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當前周期中行業(yè)的資本支出遠低于維持產(chǎn)能所需的水平，自2022年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。

這種投資的缺乏正發(fā)生在內(nèi)存供應(yīng)鏈迅速轉(zhuǎn)移到HBM之際，HBM的生產(chǎn)每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍，其生產(chǎn)良率也較低，進一步加劇了供需失衡的情況。