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海力士搶先展示UFS 4.1閃存:基于V9 TLC NAND顆粒打造

來源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2024-08-09 13:30人閱讀

快科技8月9日消息,在FMS 2024峰會(huì)上,SK海力士展示了其最新的存儲(chǔ)產(chǎn)品,包括尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存。

海力士搶先展示UFS 4.1閃存:基于V9 TLC NAND顆粒打造

據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)官網(wǎng)信息,目前公布的最新UFS規(guī)范是2022年8月的UFS 4.0,其理論接口速度高達(dá)46.4Gbps,預(yù)計(jì)UFS 4.1將在傳輸速率上實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的提升。

海力士搶先展示UFS 4.1閃存:基于V9 TLC NAND顆粒打造

海力士此次展示了兩款UFS 4.1通用閃存產(chǎn)品,容量分別為512GB和1TB,均基于321層堆疊的V9 1Tb TLC NAND閃存。

此外,SK海力士還首次展出了容量業(yè)界領(lǐng)先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC顆粒。

此外,海力士還展出了可提升數(shù)據(jù)管理效率的ZUFS(分區(qū)UFS,Zoned UFS)樣品,這些產(chǎn)品基于V7 512Gb TLC NAND,提供512GB和1TB兩種容量。ZUFS 4.0產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于今年第三季度進(jìn)入量產(chǎn)階段。

隨著UFS 4.1通用閃存的推出,預(yù)計(jì)將進(jìn)一步推動(dòng)智能手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備性能的提升。

海力士搶先展示UFS 4.1閃存:基于V9 TLC NAND顆粒打造

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