ROHM旗下LAPIS開發(fā)出NOR Flash存儲器“MR29V12852B”
來源: 編輯:vbeiyou 時間:2016-04-12 09:08人閱讀
~業(yè)界首款※內(nèi)置糾錯碼電路的128Mb產(chǎn)品,有助于系統(tǒng)的穩(wěn)定工作及降低成本~
ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor公司(藍(lán)碧石半導(dǎo)體)開發(fā)出128MbitNOR Flash存儲器“MR29V12852B”,該產(chǎn)品非常適用于對品質(zhì)有高要求的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
Flash存儲器根據(jù)存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的排列形式不同而分為NAND型和NOR型兩種。NAND型的特征是每比特的價格相對便宜,多用作手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼音響等保存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存儲介質(zhì);NOR型的特征是存儲數(shù)據(jù)的可靠性高,多用作品質(zhì)要求高的車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等保存固件的存儲介質(zhì)。
包括Flash存儲器在內(nèi)的非易失性存儲器,毋庸置疑會有偶發(fā)數(shù)據(jù)錯誤的可能性。尤其在品質(zhì)要求高的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備中,為了系統(tǒng)的穩(wěn)定工作,必須采取有效預(yù)防這種數(shù)據(jù)錯誤引發(fā)的程序誤運行或誤停止的措施。
本LSI作為128Mb NOR Flash存儲器,業(yè)界首次內(nèi)置糾錯碼電路和輸出驅(qū)動能力調(diào)整電路,通過替換現(xiàn)有存儲器,可輕松且以低成本實現(xiàn)系統(tǒng)上的數(shù)據(jù)錯誤對策。該產(chǎn)品非常適用于品質(zhì)要求高的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備,有助于系統(tǒng)的穩(wěn)定工作和降低成本。
現(xiàn)在,樣品已開始出售,電路設(shè)計、測試程序設(shè)計、評估等Flash存儲器開發(fā)在藍(lán)碧石半導(dǎo)體(新橫濱技術(shù)中心)實施,生產(chǎn)將委托海外合作伙伴Fab實施,預(yù)計于2016年11月開始投入量產(chǎn)并批量銷售。
今后,藍(lán)碧石半導(dǎo)體還會繼續(xù)完善NOR Flash存儲器的產(chǎn)品陣容,滿足品質(zhì)要求高的客戶需求。
<背景>
Flash存儲器的數(shù)據(jù)錯誤原因中,包括引起存儲器讀取數(shù)據(jù)錯誤(誤碼)、信號延遲及波形失真的數(shù)據(jù)交換時產(chǎn)生的電磁噪聲(輻射干擾)等。Flash存儲器的數(shù)據(jù)錯誤會引起Flash存儲器與其控制器間的數(shù)據(jù)通信錯誤,從而影響系統(tǒng)的可靠性。要想打造可靠性高的系統(tǒng),需要在PCB板設(shè)計、零部件配置及其評估過程中考慮減少誤碼的誤碼糾正功能及對外圍電路的噪音干擾對策。藍(lán)碧石半導(dǎo)體開發(fā)出的NOR Flash存儲器,內(nèi)置有糾錯碼電路與作為PCB板上輻射干擾對策的驅(qū)動能力調(diào)整電路,而且與其他公司產(chǎn)品具有兼容性,無需改變當(dāng)前系統(tǒng)的結(jié)構(gòu),僅需替換現(xiàn)有存儲器即可輕松實現(xiàn)系統(tǒng)的穩(wěn)定工作。
※截至2016年3月藍(lán)碧石半導(dǎo)體調(diào)查數(shù)據(jù)





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